日本表面真空学会 関西支部 合同セミナー2019

GaN系半導体デバイスの最近の話題

主催 公益社団法人 日本表面真空学会 関西支部,大阪大学大学院工学研究科
協賛 日本物理学会、応用物理学会、応用物理学会関西支部、日本化学会、電気学会、日本金属学会、電気化学会、
化学工学会、軽金属学会、日本エネルギー学会、資源・素材学会、日本材料学会関西支部、日本複合材料学会、無機マテリアル学会、
自動車技術会、日本機械学会、日本分析化学会、日本放射光学会、日本セラミックス協会、日本ファインセラミックス協会、
日本結晶学会、日本結晶成長学会、高分子学会、日本液晶学会(予定)

 2014年に「高輝度青色発光ダイオードの発明」で日本人3人がノーベル物理学賞を受賞して以降、GaNをさまざまに応用する試み
がなされてきています。今回のセミナーでは、GaN系半導体デバイスに関係する最近の動向について総合的に紹介していただいたあ
と、その産業的な応用よりも、むしろ基礎的なプロセス技術に着目して、GaN系MOS(金属-酸化物-半導体)構造の界面評価と制御
に関連する話題や、電気化学的手法を用いたGaNのエッチングや微細加工などに関連する技術の紹介、そしてGaN系デバイスに関連
する内容について、第一線でご活躍の研究者の方々に丁寧な解説をお願いしました。この分野をご専門になさる方に加え、異なる
分野の研究者・技術者や興味をお持ちの一般の方に参考になる内容です。皆様のご参加をお待ちしております。


日  時:2019年7月5日(金)  13:00 〜 17:00
場  所:大阪大学中之島センター 佐治敬三メモリアルホール
参加費:無料(テキスト代実費)
定 員:180名

講演プログラム

13:00 〜 13:05  開会の挨拶            (公社)日本表面真空学会 関西支部・支部長  鈴木 基史

13:05 〜 13:55  GaN/Si半導体デバイスの最近の話題
                     名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター 江川 孝志 

13:55 〜 14:45  Recent progress in Normally-off GaN-based transistors
                                     福井大学 工学部 Joel T. Asubar 

14:45 〜 15:15  休憩

15:15 〜 16:05  絶縁膜/GaN界面における原子構造およびアニールプロセスを活用したGaN-MOS構造の特性改善
                         奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 上沼 睦典 

16:05 〜 16:55  窒化物半導体の電気化学エッチングとデバイス応用
                       北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 佐藤 威友 

16:55 〜 17:00  閉会の挨拶             (公社)日本表面真空学会 関西支部・副支部長 白藤 立
	
申し込み締切り: 2019年7月4日(木)

申し込み方法: ここをクリックしてONLINE申し込み推奨します.

電子メール,またはハガキによる場合は以下を記して問い合わせ先へお申し込み下さい.
(1)「関西支部 合同セミナー2019申込み」
(2)氏名(ふりがな)
(3)連絡先(勤務先または自宅住所(〒付記),Tel,Fax,電子メール)
(4)参加区分(日本表面真空学会会員,その他の別)

問い合わせ先(担当幹事): 柳沢 淳一(〒522-8533 滋賀県彦根市八坂町2500  滋賀県立大学 工学部)
				Tel:0749-28-8371 E-mail:yanagisawa.j@e.usp.ac.jp

会場の案内: 〒530-0005 大阪市北区中之島4-3-53 
           京阪中之島線「中之島駅」より徒歩約5分、または、JR環状線「福島駅」より徒歩約12分、など。
         (アクセスマップ) http://www.onc.osaka-u.ac.jp/others/map/index.php


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