第21回表面科学講演大会

 

期  日 平成13年11月27日(火)〜29日(木)

 

場  所 早稲田大学総合学術情報センター(国際会議場)

      〒169-0051 東京都新宿区西早稲田 1-20-14  TEL. 03-5286-1755

            JR山手線・西武新宿線 高田馬場下車 徒歩25分

        地下鉄東西線 早稲田下車 徒歩10分、 都電 早稲田下車 徒歩5分

 

主  催 日本表面科学会

 

協  賛 日本化学会、応用物理学会、日本物理学会、日本トライボロジー学会、電子情報通信学会、     電気学会、電気化学会、日本電子顕微鏡学会、精密工学会、 日本材料学会、触媒学会、

            日本材料科学会、 粉体工学会、 日本機械学会、日本真空協会、高分子学会、化学工学会、

    日本油化学会、日本セラミックス協会、表面技術協会、 日本分析化学会、 日本金属学会、

            腐食防食協会、日本質量分析学会

 

会  場 A会場:3階 第1会議室    B会場:3階 第2会議室

      C会場:3階 第3会議室    ポスターセッション:3階ロビー

      受賞記念講演・公開講演・H会場:井深 大 記念ホール

 

講演時間:受賞講演:1件につき学会賞30分、論文・奨励・技術の各賞15分

      シンポジウム:1件につき30分   招待講演:1件につき30分  

      一般講演:口頭発表1件につき15分 ポスターセッション90分

      (いずれも討論時間を含む。OHPのみ使用可能)

 

:講演予稿集代を含む。当日会場払い。

          4,000円

(表面科学会会員)

            5,000円

            (協賛学協会会員)

            6,000円

            (その他一般)

            2,000円

            (学生)

 

論文賞・奨励賞・技術賞 表彰式

       平成13年11月28日(水)

      12:30〜13:00

       井深 大 記念ホール

 

      懇 親 会:日 時 平成13年11月28日(水)17:30〜19:30  

            場 所 大隈ガーデンハウス カフェテリア      

            参加費 3,000円(講演会参加登録の際、同時に受け付けます。)

 

連 絡 先:〒113-0033 東京都文京区本郷2-40-13 本郷コーポレイション402

            日本表面科学会事務局

            TEL 03-3812-0266    FAX  03-3812-2897

            E-mail:shomu@sssj.org   URL:http://www.sssj.org

 

プログラム

 

 

A会場

B会場

C会場

11月27日

午前

10:00-12:35

 

 

(火)

 

シンポジウム

 

 

 

午後

13:30-16:30

13:30-16:45

13:30-17:30

 

 

STM/AFM

表面物理

薄膜・微粒子

11月28日

午前

 9:45-11:30

 9:30-11:30

 9:30-11:30

(水)

 

STM/AFM

表面物理

表面化学

 

 

 

 

 

 

 

於 井深 大 記念ホール     

 

 

 

午後

12:30-13:00 論文賞、奨励賞 表彰式

 

 

 

 

13:00-14:30 受賞記念講演

 

 

 

 

15:30-17:00 公開講演会

 

 

 

 

 

 

 

11月29日

午前

10:00-12:00

10:00-12:00

10:00-12:00

(木)

 

半導体

表面分析

表面化学

 

 

於 3階ロビー

 

 

 

午後

12:30-14:00 ポスターセッション

 

 

 

 

14:00-16:45

14:00-17:00

14:00-17:00

 

 

半導体

表面分析

表面化学

 

 

11月28日(水)

 

会場 井深 大 記念ホール

 

論文賞、奨励賞 表彰式(12:30〜13:00)

 

受賞記念講演(13:00〜14:30)

 座長 二瓶好正(13:00〜14:00)

2H01〈学会賞〉 超高真空電子顕微鏡による表面およびナノ構造の研究  (東工大院理工)高柳邦夫

2H02〈学会賞〉 表面における水素の挙動とサーファクタント効果       (阪大院工)尾浦憲治郎

 

座長    吉野隆子(14:00〜14:30)                                                                                 

2H03〈論文賞〉 Ge(111)表面におけるARXPSスペクトル強度の温度依存性に対する理論的研究

(千葉大院自然科学)中山健太郎

2H04〈奨励賞〉 MgO(100)表面上にエピタキシャル成長したチタン酸化物表面形態の研究

;非接触AFMによる研究                   (産総研)久保利隆

 

公開講演会(15:30〜17:00)

宇宙からの表面科学              (日本科学未来館館長)毛利 衛

一 般 講 演

1127日(火)

A会場 午前 10:00〜12:35

 

シンポジウム

 座長 野副尚一(10:00〜12:35)

1A01

はじめに                                (上智大)坂間 弘

1A02

4探針STMによる電子輸送測定                    (東大院)〇長谷川修司

1A03

二次元伝導電子のFriedel振動とナノ構造中の量子状態         (NTT物性研)〇蟹澤 聖

1A04

個々の吸着原子・分子のSTM発光分光               (東北大電通研)〇上原洋一

1A05

金属表面に吸着したC4炭化水素の非弾性トンネル分光            (理研)〇米田忠弘

1A06

光励起STM                          (筑波大物理工)〇重川秀実

 

− 昼   食    12:35〜13:30 −

 

A会場 午後 13:30〜16:30

 

STM/AFM

 座長 蟹澤 聖(13:30〜14:45)

 

1A07

Au(111)表面における探針に依存した原子拡散のSTM観察

(豊橋技科大・工)○金 周映、吉田和洋、野中真人、金 熙濬、内田裕久

1A08

GaAs(110) トンネル電流の3次元プロファイル

(学習院大)反町 智、○吉田 誠、山田 豊和、溝口 正

1A09(S)

低温STMによる Si(100)表面構造相転移の解析 - c(4x2)、p(2x2)低温相の発現条件

(筑波大*、CREST**、ハーバード大***、東大工****)

○吉田昭二*、武内修*,**、畠賢治***、重川秀実*,**,***

1A10

6H-SiC(0001)表面上の酸素分子反応初期過程のSTM観察

(阪大・工)〇山岡延充、久保理、伊東祐徳、大西秀朗、片山光浩、尾浦憲治郎

1A11

ペロブスカイト SrTiO3(100) 表面構造            (産総研)○久保利隆、野副尚一

 

− 休   憩    14:45〜15:00 −

 

 座長 重川秀実(15:00〜16:30)

 

1A12(S)

TiO2(001)表面のTiカチオンの配位不飽和度に依存した分子の吸着・反応のSTM直接観察

(東大院・理)○手老龍吾、福井賢一、岩澤康裕

1A13

MOCVDおよび金属蒸着Pt/TiO2(110)モデル触媒表面とそれを用いた表面反応過程のSTM観察

(東大院理)○高草木達、福井賢一、成行書史、岩澤康裕

1A14(S)

走査型トンネル電子顕微鏡によるTiO2(110)表面におけるtitanium tetraisopropoxideの観察

(産総研)○桂一匡*、久保利隆**、野副尚一*,**

1A15

両親媒性陽イオン水溶液中におけるポリスチレンの表面間力と分散特性

(都立大院理)○藤井政俊、中里恭子、加藤 直

1A16

STMによるチオール化DNA修飾電極の表面構造解析と電気化学応答

(東北大院理・九大院工*)○森田耕太郎、内田達也、山下健一*、竹中繁織*、寺前紀夫

1A17

液中における銀単結晶電極表面へ吸着したアントラセンの吸着構造解析

(東北大院工)◯吉本惣一郎、下岡 泰真、犬飼 潤治、板谷 謹悟

 

 

11月27日(火)

 

B会場 午後 13:30〜16:45

 

表面物理

 座長 長谷川修司(13:30〜15:00)

 

1B01

《招待講演》
表面における結晶成長への理論的アプローチ               (山梨大)〇川村隆明

1B02

STM探針からSi(111)7×7表面に供給されたSi吸着子の振る舞い

(豊橋技科大・工、東大院工*、阪大院工**)

○内田裕久、渡邉聡*、倉持宏実**、蔦井生樹、岸田優、金周映、青野正和**

1B03(S)

水素終端Si(111)上のCuナノ構造形成過程と構造変化

(大阪電通大、Martin-Luther University*)

〇黒岩直紀、福島勇樹、P.Rajasekar、H.Neddermeyer*、安江常夫、越川孝範

1B04

As終端GaAs(001)表面上のAs,P原子の動力学の第一原理計算      (鳥取大・工)○石井 晃

1B05

金属原子細線の電気伝導の第一原理計算

(産総研、理研*、阪大・工**、東大院理***)○小林伸彦、青野正和*,**、塚田 捷***

 

− 休   憩    15:00〜15:15 −

 

 座長 川村隆明(15:15〜16:45)

 

1B06

Si(111)-7x7への希ガス吸着(Xe,Kr) (筑波大*、CREST**、分子研***、AIST****)

○武内 修*,**、李 艶君***、三宅晃司****、重川秀実*,**

1B07

短パルスレーザー照射Si(111)面のピコ秒X線回折

(東工大・応セラ研)〇岸村浩明、矢崎秋夫、川野秀隆、弘中陽一郎、中村一隆、近藤建一

1B08

マイクロ4端子法による電気伝導の測定(東大・理)○谷川雄洋、白木一郎、F.Grey、長谷川修司

1B09

レーザー誘起電子パルスによるアブレーション過程の測定

(東工大)○岡野泰彬、弘中陽一郎、中村一隆、近藤建一

1B10

CAICISS/TOF-ERDA 法による Ge/Si(100) ヘテロエピタキシーにおける水素介在効果の観察

(阪大院・工)○辰巳敦宣、藤野俊明、井上真一、奥野智久、片山光浩、尾浦憲治郎

1B11

中エネルギーイオン散乱法を用いた温度変化に伴うZr系高誘電体薄膜の安定性

(大阪電通大、NEC*)〇廣瀬政宣、越川孝範、安江常夫、間部謙三*、五十嵐信行*

 

 

11月27日(火)

 

C会場 午後 13:30〜17:30

 

薄膜・微粒子

 座長 北島正弘(13:30〜15:30)

 

1C01

《招待講演》
ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用           (早大理工)〇川原田洋

1C02

カソードアーク法によって室温成長させたナノクリスタルカーボンの導電特性

(高知工科大・工、高知工科大・連携研究センタ*)○高橋秀和、B.S.Satyanarayana*、成沢 忠

1C03

触媒金属を用いた、高出力マイクロ波CVD装置によるナノファイバーの作成、および構造解析

(阪大院工、NEDO、FCT project/JFCC)○小原秀和、葛岡 崇、白良 奎、

生野 孝、古田 寛、本多信一、安藤 豊、小橋宏司、平尾 孝、尾浦憲治郎

1C04

チオフェン自己組織化単分子膜のアルキル鎖の影響

(北大院工、北教大函館)○松浦俊彦、小野寺理、下山雄平

1C05

SFGによるPMMA表面及びSiO_2/PMMA界面における分子配向    (産総研)○宮前孝行、野副尚一

1C06

酸化ニッケルナノ微粒子の特異な性質

(科振団、物材機構*、東工大院**)○丸山耕一、松下明行*、小澤 清*、目 義雄*、入戸野修**

1C07

イオン・電子デュアル収束ビーム三次元分析装置を用いたニッケル水素電池材料の分析

(東大生研*、東大環境セ**、東京理科大***)

○高梨和也*、吉田正樹*、坂本哲夫**、尾張真則*,**、二瓶好正***

 

− 休   憩    15:30〜15:45 −

 

 座長 川原田洋(15:45〜17:30)

 

1C08

薄膜における下地元素偏析の一般則