日本表面科学会　会員各位

グラフェンデバイスに関する国際シンポジウム (ISGD2008) 開催のご案内

謹啓、

時下、ますますご清祥のこととお慶び申し上げます。

このたび、下記のとおり、International Symposium on Graphene Devices:
Technology,
Physics, and Modeling (ISGD 2008)
「グラフェンデバイスのテクノロジー、物理、モデリングに関する国際シンポジウム」（主催：ISGD実行委員会、共催：JST-CREST、会津大学、東北大学、米国バッファロー大学）を開催する運びとなりました。急速な進展をみせている新材料グラフェンのデバイス応用に関する技術と物理とモデリングに関して、内外の第一線で活躍する研究者の皆様方より最先端の研究成果をご紹介・ご発表いただくとともに、深く議論する場を設け、一層の研究の進展に資することを目的としております。

つきましては、関係の皆様方におかれましては、論文のご投稿ならびに、シンポジウムへのご出席をお願い申し上げますとともに、関連の皆様へご案内をいただけましたら大変幸甚でございます。多数のご参加をいただきますよう、お願い申し上げます。

謹白、

東北大学電気通信研究所
末光眞希

記

日時：　2008年11月17日（月）〜11月19日（水）

場所：　会津大学、宮城県会津若松市

開催要項および論文募集要項：
http://www.otsuji.riec.tohoku.ac.jp/CREST/ISGD をご参照ください。

ISGD2008 実行委員会
Co-Chairs

尾辻　泰一
東北大学　教授, JST-CREST
電気通信研究所

RYZHII, Victor
会津大学　教授, JST-CREST
コンピュータ理工学部

末光　眞希
東北大学　教授, JST-CREST
電気通信研究所

問い合わせ先：

ISGD2008 Secretary
佐藤　昭
会津大学　コンピュータ理工学部, JST-CREST
〒965-8580福島県会津若松市一箕町鶴賀字上居合90
Tel: 0242-37-2694                     Fax: 0242-37-2596
E-mail: isgd-orgu-aizu.ac.jp