会誌「表面科学」
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 表面科学技術者資格認定試験 例題・解説


■ No. 1 (2013年9月)

例題1(基礎編)表面の原子レベルの構造
例題2(基礎編)電子放出
例題3(技術編)薄膜
例題4(分析各編)表面分析法
例題5(分析各編)化学シフト

Vol. 34, No. 9 (2013) p. 510


■ No. 2 (2013年10月)

例題6(基礎編)逆格子ベクトル
例題7(基礎編)エネルギー,運動量,波長
例題8(技術編)電気めっき法と真空蒸着法
例題9(技術編)気体の圧力
例題10(分析各編)電子エネルギー損失分光法
例題11(分析各編)X線回折

Vol. 34, No. 10 (2013) p. 557


■ No. 3 (2013年11月)

例題12(基礎編)統計誤差
例題13(基礎編)表面電子状態

Vol. 34, No. 11 (2013) p. 610


■ No. 4 (2013年12月)

例題14(分析編)オージェ電子分光の基礎
例題15(分析編)オージェ電子分光の実例

Vol. 34, No. 12 (2013) p. 666


■ No. 5 (2014年1月)

例題16(基礎編)回折の基礎
例題17(基礎編)X線回折

Vol. 35, No. 1 (2014) p. 65


■ No. 6 (2014年2月)

例題18(分析各論編)EPMA その1
例題19(分析各論編)EPMA その2

Vol. 35, No. 2 (2014) p. 118


■ No. 7 (2014年3月)

例題20(分析各論編)AESとXPS
例題21(分析各論編)XPS

Vol. 35, No. 3 (2014) p. 168


■ No. 8 (2014年4月)

例題22(基礎編)原子と固体の電子状態
例題23(基礎編)吸着のエンタルピー

Vol. 35, No. 4 (2014) p. 225


■ No. 9 (2014年5月)

例題24(分析各論編)エピタキシャル膜の構造
例題25(分析各論編)AESによる深さ方向分析

Vol. 35, No. 5 (2014) p. 272


■ No. 10 (2014年6月)

例題26(基礎編)ナノスケール摩擦
例題27(基礎編)真空を必要とする分析法
例題28(基礎編)真空中での結晶表面

Vol. 35, No. 6 (2014) p. 328


■ No. 11 (2014年7月)

例題29(分析各論編)深さ方向分析
例題30(分析各論編)深さ方向分析の実際

Vol. 35, No. 7 (2014) p. 393


■ No. 12 (2014年8月)

例題31(基礎編)仕事関数
例題32(基礎編)電界電子放出

Vol. 35, No. 8 (2014) p. 462


■ No. 13 (2014年9月)

例題33(基礎編)赤外分光法
例題34(分析各編)赤外分光法とラマン分光法
例題35(分析各編)ラマン分光法

Vol. 35, No. 9 (2014) p. 520


■ No. 14 (2014年10月)

例題36(基礎編)平衡状態
例題37(基礎編)界面とは
例題38(基礎編)酸化とは

Vol. 35, No. 10 (2014) p. 583


■ No. 15 (2014年11月)

例題39(分析各論編)RHEEDの基礎
例題40(分析各編)RHEED/LEEDの基礎

Vol. 35, No. 11 (2014) p. 637


■ No. 16 (2014年12月)

例題41(基礎編37)薄膜成長とRHEED
例題42(基礎編88)薄膜の基礎

Vol. 35, No. 12 (2014) p. 691


■ No. 17 (2015年1月)

例題43(基礎編17)表面エネルギー

Vol. 36, No. 1 (2015) p. 51


■ No. 18 (2015年2月)

例題44(基礎編58)イオン散乱
例題45(基礎編59)イオン散乱

Vol. 36, No. 2 (2015) p. 96


■ No. 19 (2015年3月)

例題46(基礎編69)分析法総論
例題47(基礎編60)X線に関連する分析法
例題48(基礎編61)電子線に関連する分析法

Vol. 36, No. 3 (2015) p. 147


■ No. 20 (2015年4月)

例題49(基礎編116)走査トンネル顕微鏡
例題50(基礎編155)STMの分解能

Vol. 36, No. 4 (2015) p. 212


■ No. 21 (2015年5月)

例題51(基礎編10)内殻準位
例題52(基礎編11)原子内の電子配置

Vol. 36, No. 5 (2015) p. 268


■ No. 22 (2015年6月)

例題53(技術編4)気体分子の平均自由行程
例題54(技術編5)気体分子の平均速度

Vol. 36, No. 6 (2015) p. 324


■ No. 23 (2015年7月)

例題55(分析各論編158)ダイナミックSIMS (1)
例題56(分析各論編160)ダイナミックSIMS (2)

Vol. 36, No. 7 (2015) p. 387


■ No. 24 (2015年8月)

例題57(分析各論編19)TEM-EDS
例題58(分析各論編79)X線面内回折法
例題59(分析各論編82)X線反射率

Vol. 36, No. 8 (2015) p. 435


■ No. 25 (2015年10月)

例題60(分析各論編24)STMの基礎 (1)
例題61(分析各論編30)STMの基礎 (2)
例題62(分析各論編39)STMの基礎 (3)

Vol. 36, No. 10 (2015) p. 549


■ No. 26 (2015年11月)

例題63(分析各論編1)半導体表面の汚染
例題64(分析各論編79)シリコン(001)表面

Vol. 36, No. 11 (2015) p. 595


■ No. 27 (2015年12月)

例題65(基礎編24)最密充填構造
例題66(基礎編27)最密充填構造の充填率
例題67(基礎編30)表面充填率

Vol. 36, No. 12 (2015) p. 650


■ No. 28 (2016年1月)

例題68(基礎編40)各種エネルギーのスケール

Vol. 37, No. 1 (2016) p. 43


■ No. 29 (2016年2月)

例題69(分析各論編80)X線回折のバックグラウンド
例題70(技術編60)実験室系のX線

Vol. 37, No. 2 (2016) p. 95


■ No. 30 (2016年3月)

例題71(基礎編95)半導体表面界面での電気伝導

Vol. 37, No. 3 (2016) p. 141


■ No. 31 (2016年4月)

例題72(基礎編8)原子内の電子配置 (2)
例題73(基礎編9)原子内の電子配置 (3)

Vol. 37, No. 4 (2016) p. 192


■ No. 32 (2016年5月)

例題74(基礎編52)表面分析プローブ
例題75(基礎編53)電磁波と物質の相互作用
例題76(基礎編54)X線と物質の相互作用

Vol. 37, No. 5 (2016) p. 242


■ No. 33 (2016年6月)

例題77(基礎編126)X線の散乱

Vol. 37, No. 6 (2016) p. 278


■ No. 34 (2016年7月)

例題78(技術編15)真空ポンプ

Vol. 37, No. 7 (2016) p. 332


■ No. 35 (2016年8月)

例題79(技術編40)中エネルギーイオン散乱
例題80(技術編41)低エネルギーイオン散乱

Vol. 37, No. 8 (2016) p. 396


■ No. 36 (2016年9月)

例題81(技術編29)EDSとWDS
例題82(技術編58)EDSとWDS (その2)

Vol. 37, No. 9 (2016) p. 461


■ No. 37 (2016年10月)

例題83(技術編48) F T I R

Vol. 37, No. 10 (2016) p. 517


■ No. 38 (2016年11月)

例題84(技術編37)電子回折とTEM像

Vol. 37, No. 11 (2016) p. 574


■ No. 39 (2017年1月)

例題85(技術編35)静電半球型電子分光器

Vol. 38, No. 1 (2017) p. 46


■ No. 40 (2017年2月)

例題86(分析各論編95)エリプソメトリ

Vol. 38, No. 2 (2017) p. 96


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